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电子半导体废水处理案例|电子半导体废水处理方法

西南某LED概念片产量中小型企业,因产量流程中用到砷化镓、电镀锌铟等III-V族氧化物,废水面含砷(As)、镉(Cd)、铅(Pb)等巨资属,定制整理投资规模1200吨/日。 污废水 含量及来源地 MOCVD装备洁净化工废水 :含三级甲等医院医院基镉、三级甲等医院医院基铟等可挥发金属制无机化合物 锯开打磨生产废水 :含纳米级级废金属颗粒物 镀膜废污水 :含铜、镍等金属件正离子 治理新工艺操作流程 改革创新采用了"腐蚀破络+高价属收集+膜剥离"组合起来工艺技术: 预清理标段 :污泥脱水亚硫酸氢钠进行分解无机金属件络合物 中心工作单元测试 : 适用DTCR血本属收集剂建立不可溶螯合物 超滤膜系统的(UF)公款私存大原子核严重环境有害特性 反侵入(RO)脱盐率>98% 淤泥解决标段 :离心力脱水整理后委托危险废物整理重心外理 结果英文目的 经最后方探测: 总砷含氧量:0.05mg/L(行业标准0.5mg/L) 镉硫含量:0.01mg/L(国家标准0.1mg/L) 水造纸废水处理率:75% 操作利润:3.8元/吨水

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